'임베디드'에 해당되는 글 94건
- 5.메모리 프로텍션::플래시메모리의이해 | 2009/05/11
- 4.FTL(Flash Translation Layer)::플래시메모리의이해 (1) | 2009/04/22
- 3.읽고 쓰기의 원리::플래시메모리의이해 | 2009/03/27
- 2.섹터구조::플래시메모리의이해 | 2009/03/18
- 1.플래시 메모리의 특징::플래시메모리의이해 | 2009/03/12
- 14.비 동기 버스 동작(Asynchronous Bus operation) :: 버스의이해 | 2009/02/25
- 13.I/O 장치(Peripheral) :: 버스의이해 | 2009/02/18
- 버스는 인체의 혈관과 같은것? | 2009/02/14
- 12.버스 쓰기 동작(Bus Write transaction) :: 버스의이해 | 2009/02/14
- 11.버스 읽기 동작(Bus Read transaction) 하편 :: 버스의이해 (1) | 2009/02/14
5.메모리 프로텍션::플래시메모리의이해 - 2009/05/11 23:30
플래시 메모리의 동작 원리와 그 의의를 알아보도록 합니다.
이번 시간은 플래시 메모리의 안전한 메모리 보호(PROTECTION) 기법들에 대해 살펴 봅니다.
첨부문서:
flashmemory_write_protection_technique.pdf
메모리 프로텍션 그림1의 플래시 메모리 인터페이스는 임베디드 시스템 설계 시 흔히 보는 일반적인 플래시 메모리의 인터페이스를 보이고 있습니다. 이 시간에는 올바른 플래시 메모리의 디지탈 회로 구성법에 대하여 알아보고 의도되지 않은 플래시 메모리의 지워짐 현상 발생에 대한 대책과 그 예방 법을 함께 생각해 보도록 합니다
posted by 가일(GUILE)
♡ 포스팅이 유익 하셨다면 E-mail로 가일의 임베디드 스쿨을 구독하세요-> 
4.FTL(Flash Translation Layer)::플래시메모리의이해 - 2009/04/22 22:14
한 살씩 나이를 먹어감에 따라 취미도 조금씩 변하는 것 같군요. 영화 다운로딩 해서 보는 것을 좋아 했는데 영화는 역쒸 극장에서 봐야 제맛. 집에 프로젝터가 설치되어는 있지만 글쎄 별로 사용 안합니다. 요즈음은 도서관에서 책 빌려 읽기. 이것도 재미가 제법 쏠쏠하더군요. 오늘도 여러분들은 어떤 재미를 가지고 살아 가십니까?
오랜만에 포스팅 합니다. 자 시작해 볼까요?
플래시 메모리의 동작 원리와 그 의의를 알아보도록 합니다.
이번 시간은 플래시 메모리의 FTL 원리에 대해 살펴 봅니다.
Wear-leveling 플래시 메모리에서는 모든 섹터들의 최대 지우기 횟수가 유한한 이유로 FTL이 필요하다고 하였습니다. FTL에서는 wear-leveling 기능이 함께 구현 되어 있습니다.Wear-Leveling이란 플래시 수명을 연장하기 위해 블록 당 쓰기(writing) 횟수를 모니터하고, 한 블록에만 치우치지 않도록 균등하게 분배하는 기술을 말합니다. 특정 블록에만 지나치게 데이터가 write 되는 것을 방지함으로써 플래시 디스크가 깨지지 않도록 합니다.Garbage Collection 플래시 메모리 사용량이 일정량에 다다르면 더 이상 가용한 여유 블럭(free block)이 없을 수가 있습니다. 플래시 메모리 쓰기의 단위는 페이지이지만 지우기는 항상 블럭 단위입니다. 하나의 블럭은 다수의 페이지로 구성되어 있습니다. 또한 블럭 내에는 미 사용 페이지들이 함께 혼재 되어 있을 수 있습니다.
posted by 가일(GUILE)
♡ 포스팅이 유익 하셨다면 E-mail로 가일의 임베디드 스쿨을 구독하세요->
3.읽고 쓰기의 원리::플래시메모리의이해 - 2009/03/27 20:33
플래시 메모리의 동작 원리와 그 의의를 알아보도록 합니다.
이번 시간은 플래시 메모리의 읽고, 쓰기 원리에 대해 살펴 봅니다.
먼저 Figure 1 6 과 같은 방법으로 기록을 원하는 위치의 섹터(SECTOR)을 지우고(ERASE)나서 그 다음으로 Figure 1 5 처럼 기록을 하여야 합니다. 플래시 메모리는 기록(PROGRAM)이나 지우기(ERASE) 이외에 여러가지 기본적인 동작(OPERATION)을 가지고 있는데요. Table 1 2은 플래시 메모리의 다양한 커맨드 세트를 보여주고 있습니다
posted by 가일(GUILE)
♡ 포스팅이 유익 하셨다면 E-mail로 가일의 임베디드 스쿨을 구독하세요->
2.섹터구조::플래시메모리의이해 - 2009/03/18 10:20
임베디드 시스템에서 동작하는 소프트웨어를 담는 용기로서 사용되는 메모리의 일종인 플래시 메모리(flash Memory)의 동작 원리와 그 의의를 알아보도록 합니다.
이번 시간은 플래시 메모리의 구조에 대해 알아 봅니다.
플래시 메모리는 읽고 쓰는 것이 항시 자유로운 RAM 과 흔히 비교되는데요. 플래시메모리 기록을 위하여는 사전에 기록을 원하는 위치의 섹터를 지운 후에야만 쓰기가 가능 합니다.
대부분의 플래시 메모리들은 전 섹터(total sector)을 한번에 지울 수 있는 CHIP ERASE, 섹터별로 지울 수 있는 SECTOR ERASE 방법 이렇게 두 가지 방법을 지원 하고 있습니다.
단 1개의 섹터를 지우는데 최소한 300ms 이상의 시간이 소요되는 만큼 전체 섹터를 대상으로 하는 CHIP ERASE 보다는 가급적 SECTOR ERASE 방식을 사용하는 것이 시간적으로 더 도움이 될 것입니다.
posted by 가일(GUILE)
♡ 포스팅이 유익 하셨다면 E-mail로 가일의 임베디드 스쿨을 구독하세요->
1.플래시 메모리의 특징::플래시메모리의이해 - 2009/03/12 12:10
이 글은 다음과 같은 독자들을 대상으로 쓰여졌습니다.
(1)임베디드 시스템 입문자
(2)플래시 메모리의 전기적인 특성을 확인하고저 하는 하드웨어 엔지니어
(3)플래시 메모리 취급시 요령을 알고 싶어하는 소프트웨어 엔지니어
(4)데이터 북(시트) 보는 법을 알고 싶어하는 자
임베디드 시스템에서 동작하는 소프트웨어를 담는 용기로서 사용되는 메모리의 일종인 플래시 메모리(flash Memory)의 동작 원리와 그 의의를 알아보도록 합니다.
이번 시간은 플래시 메모리의 주요 특징들에 대해 살펴 봅니다.
플래시 메모리의 주요 특징을 하나씩 확인 해 보도록 합니다. 편의상 앞으로 '플래시메모리'라는 용어는 줄여서 간단히 '메모리' 라 호칭 되기도 합니다.플래시메모리 이전 세대인 EPROM, EEPROM 는 프로그래밍을 위한 Vpp 전원(power)이 별도로 필요 하였습니다. Vpp 로는 대략 12V ~ 25V 정도의 전원이 사용 되었습니다. 당시의 디지털 회로 소자 대부분이 디지털전원(Vcc)으로 5V 이었던 것을 생각해 보면 이는 높은 수치의 전압입니다
posted by 가일(GUILE)
♡ 포스팅이 유익 하셨다면 E-mail로 가일의 임베디드 스쿨을 구독하세요->
14.비 동기 버스 동작(Asynchronous Bus operation) :: 버스의이해 - 2009/02/25 19:41
디지털 메모리 버스 인터페이스를 통하여 마이크로프로세서의 버스 동작의 원리와 그 의의를 알아보도록 합니다.
이번 시간은 비 동기 버스 동작(Asynchronous Bus operation)의 원리를 알아 봅니다.
이와 같은 비동기 버스 방식은 현대의 마이크로 프로세서에서의 여러 분야에서 보이고 있는데요. Figure 1 3은 AMBA AHB 버스의 기본 타이밍도입니다. 여기서 HREADY 가 위에서 설명한 /DSACK(응답) 신호와 동일한 기능으로서 사용 되고 있습니다. 다른 그림을 하나 더 보시겠습니다. Figure 1 4은 S3C2440A 메모리 컨트롤러에 의한 버스의 기본 타이밍도입니다. 여기서 nWAIT 가 위에서 설명한 /DSACK(응답) 신호와 동일한 기능으로서 사용 되고 있습니다.
posted by 가일(GUILE)
♡ 포스팅이 유익 하셨다면 E-mail로 가일의 임베디드 스쿨을 구독하세요->
13.I/O 장치(Peripheral) :: 버스의이해 - 2009/02/18 20:52
디지털 메모리 버스 인터페이스를 통하여 마이크로프로세서의 버스 동작의 원리와 그 의의를 알아보도록 합니다.
이번 시간은 I/O 장치(Peripheral)의 버스 인터페이스 사례를 알아 봅니다.
임베디드 시스템의 네트웍 연결을 가능하게 하는 이더넷컨트롤러 장치, LCD 액정을 구동해 주는 LCD드라이버 장치, UART컨트롤러 장치, 타이머 장치, ATA 인터페이스 장치, USB컨트롤러 장치 이외에도 많은 장치들이 현재 임베디드 시스템에서 사용되고 있습니다.
Figure 1‑1은 마이크로프로세서와 인터페이스 되어 있는 이더넷컨트롤러 장치를 보이고 있습니다. 그림에서도 알 수 있듯이 이더넷컨트롤러는 마이크로프로세서가 직접 제어하는 장치 중의 하나입니다. 해당 장치는 어드레스버스, 데이터버스, 칩셀렉트, 읽고 쓰기 신호를 모두 갖추고 있음으로써 외관상 메모리 장치와 하나도 다를게 없어 보입니다
posted by 가일(guile)
♡ 포스팅이 유익 하셨다면 E-mail로 가일의 임베디드 스쿨을 구독하세요->
버스는 인체의 혈관과 같은것? - 2009/02/14 17:36
♡ 포스팅이 유익 하셨다면 E-mail로 가일의 임베디드 스쿨을 구독하세요->
12.버스 쓰기 동작(Bus Write transaction) :: 버스의이해 - 2009/02/14 17:32
디지털 메모리 버스 인터페이스를 통하여 마이크로프로세서의 버스 동작의 원리와 그 의의를 알아보도록 합니다.
이번 시간은 메모리 버스 쓰기 동작(Bus write transaction)의 원리를 알아 봅니다.
대부분의 경우 위의 절에서 모두 설명을 했기 때문에 이번 절은 설명이 한결 수월 할 것 같네요. Figure 1 1 와 Figure 1 4 은 어떤 차이가 있나요? 그렇습니다. 전자의 경우 /WE 의 상승엣지가 메모리에 기록 되는 시기인 반면 후자인 Figure 1 4의 경우는 /CE의 상승엣지가 그 기록의 시기를 결정 하고 있습니다. /WE 의 상승엣지가 메모리의 기록을 결정 지었다고 해서 Figure 1 1 방식을 /WE CONTROLLED 쓰기라고 부르고 있으며 이에 반해 /CE 의 상승엣지가 메모리의 기록을 결정 지었다고 해서 Figure 1 4방식을 /CE CONTROLLED 쓰기라고 부릅니다. /CE CONTROLLED 쓰기 방식에서의 중요 타이밍 정보는 'tEHDX' 로서 이는 이전의 tWHDX 에 대응되고 있습니다.
posted by 가일(GUILE)
♡ 포스팅이 유익 하셨다면 E-mail로 가일의 임베디드 스쿨을 구독하세요->
11.버스 읽기 동작(Bus Read transaction) 하편 :: 버스의이해 - 2009/02/14 17:29
디지털 메모리 버스 인터페이스를 통하여 마이크로프로세서의 버스 동작의 원리와 그 의의를 알아보도록 합니다.
이번 시간은 메모리 버스 읽기 동작(Bus read transaction)의 원리를 알아 봅니다.
지금까지 버스 읽기 타이밍 분석을 해 보았습니다. 그러면 타이밍 분석 이후 소프트웨어를 이용하여 진행하는 다음 단계에 대하여 알아 보도록 합니다. 설명의 예로서 삼성 S3C2440의 메모리 컨트롤러를 이용 하겠습니다. Figure 1 3은 메모리 컨트롤러의 타이밍 제어기를 프로그램 할 때 참조 해야 하는 그림으로서 주요 신호 부터 알아 보도록 하겠습니다. HCLK는 버스클럭, A[24:0] 어드레스, nGCS 칩셀렉트, nOE 읽기제어, D[31:0](R) 데이터 버스 이외 언급 하지 않은 신호들은 본 예를 위하여는 필요 없으므로 과감히 설명을 생략 합니다
posted by 가일(GUILE)
♡ 포스팅이 유익 하셨다면 E-mail로 가일의 임베디드 스쿨을 구독하세요->